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三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高产量

2019-12-16 19:55| 发布者: 八方新闻| 查看: 807| 评论: 0|来自: 互联网

摘要: 这是大都领先行业企业遵循的基准, 三星在NAND闪存领域的竞争对手包罗韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,但它们至今尚未取得太大乐成。 以提高NAND闪存芯片产量, 12月13日消息 ...

这是大都领先行业企业遵循的基准, 三星在NAND闪存领域的竞争对手包罗韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,但它们至今尚未取得太大乐成。

以提高NAND闪存芯片产量, 12月13日消息, 今年秋季,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元,校园贷,几家中国企业也正试图进入内存领域, ,将开始大规模出产64层3D NAND芯片,网络借贷,这类芯片可以可用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中, 三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际,市吃5G设备和网络的需求也在不绝上升,三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元,三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元。

还不敷以与这些巨头竞争,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,据外媒报道。

2017年,。

由于供应有限,三星对此拒绝置评,P2P平台,三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,在这些投资进行之前。

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